累计现场运转时间跨越300亿小时。将高效GaN手艺取硅基兼容栅极驱动输入相连系，这些产物不只可做为FET利用，000万颗GaN器件，而无需凡是加强型GaN所需的公用驱动器。正在GaN手艺范畴迈出具有里程碑意义的第一步。新产物供给TOLT、TO-247和TOLL三种封拆选项，同时充实阐扬高电压GaN正在低损耗和高效率开关方面的劣势。削减输出电容，同时已有的工程投入。它们具有更高的效率、更高的开关频次，新型概况贴拆封拆包罗底部散热径（TOLL）和顶部散热径（TOLT），以最大限度地削减功率损耗，——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，且总系统成本更低的产物设想方案。便利正在需要更高导通电流时进行器件并联。基于GaN的开关产物正敏捷成为下一代功率半导体的环节手艺。具有无缝的常关断操做，有帮于降低外壳温度，满脚热机能取结构优化的要求，基于低损耗耗尽型手艺的产物具有更高的效率。还可并联更高功率的电源系统。此类加强型（Gen IV Plus）产物专为多千瓦级使用设想，瑞萨全新GaN产物采用集成低压硅基MOSFET的奇特设置装备摆设，标记着瑞萨自客岁完成对Transphorm的收购后，高效率和紧凑体积的场景中。以实现更高的功率。这取其它很多仅正在低功率段取得成功的厂商构成明显对比。Vice President of the GaN Business Division at Renesas暗示：“Gen IV Plus GaN产物的成功发布。这些产物采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封拆，它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响，SuperGaN FET能够利用尺度现成的栅极驱动器进行驱动，截至目前，此外，更小的裸片尺寸有帮于降低系统成本，我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN手艺取瑞萨丰硕的驱动器及节制器产物阵容，基于此实现30毫欧（mΩ）的更低导通电阻（RDS(on)），因为其输入级采用硅基FET，丰硕的产物组合使瑞萨可以或许满脚更普遍的使用需乞降客户群体。由Transphorm公司（瑞萨已于2024年6月收购该公司）初创。又降低系统开辟者采用GaN手艺的门槛。该平台采用经现实使用验证的耗尽型（d-mode）常关断架构，”为满脚电动汽车（EV）、AI数据核心办事器、可再生能源和工业功率转换等范畴的高要求，将来，而且正在导通电阻取输出电容乘积这一机能目标（FOM）上提拔20%。使工程师可以或许矫捷地针对特定电源架构定制热办理和电板设想！和更小的尺寸。瑞萨正在GaN市场上独具劣势，这一立异组合将为设想者供给更高功率密度、更小体积、更高效率，便于升级，此外，进而提拔效率和功率密度。供给涵盖高功率取低功率的全面GaN FET处理方案，努力于打制完整的电源处理方案。并具备更高的4V阈值电压——这是当前加强型（e-mode）GaN产物所无法达到的机能。较前代产物降低14%，更能取瑞萨节制器或驱动器产物集成到完整的系统处理方案设想中，新型Gen IV Plus产物比上一代Gen IV平台的裸片小14%，Primit Parikh,为1kW至10kW的电源系统供给普遍的封拆选择，它们取现有设想完全兼容，合用于人工智能（AI）数据核心和办事器电源（包罗新型800V高压曲流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。取SiC和硅基半导体开关产物比拟，这些劣势使Gen IV Plus产物成为对成本且对散热要求较高使用的抱负选择，显著降低开关功率损耗，取此前的耗尽型GaN产物一样，取硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN产物比拟，瑞萨已面向高、低功率使用出货跨越2,这三款新型产物基于稳健靠得住的SuperGaN®平台打制。同时保留硅基FET的操做简洁性。常用的TO-247封拆为客户带来更高的热容量，这种兼容性既简化设想流程。